第三百八十三章　　下午，顾律陪着陈默来到物理学院的凝聚态物理与材料物理研究所。　　与数学学院只有一个燕大数学研究所不同。　　燕大的物理学院下辖的研究所不止一个。　　加上十年前刚刚成立的等离子体和核聚变研究所的话，燕大物理学院下辖的研究所一共有五个。　　顾律和陈默目前去的凝聚态物理与材料物理研究所，便是其中之一。　　该研究所创立与千禧年初，是由原物理系7个专业中的5个（半导体，磁学，低温物理，固体结构，固体能谱）合并而来。　　因此，该研究所被分为五个不同的研究中心。　　顾律带着陈默来到凝聚态物理与材料物理研究所的半导体研究中心办公室。　　一位研究员助理在门口等候着。　　见到顾律领着陈默出现在楼梯口，客气的迎了上去。　　“是顾教授吗？”　　“是我，我和张主任打过招呼。”顾律点头淡笑。　　在陪西蒙吃午饭的时候，顾律和半导体研究中心的张主任打了招呼，说了下午要来这边一趟。　　“张主任正在办公室里等着呢，顾教授，我带你们去见他。”　　在研究中心的主任办公室，顾律见到了戴着一副老花镜的张主任。　　张主任全名张维国，目前是该研究所半导体研究中心的老大。　　张主任和顾律的师兄包松全是差不多的年纪，是国内半导体物理领域的几位大牛之一，有着冲击中科院院士的实力。　　顾律和张主任算是认识。　　因为在顾律还在读本科的时候，张主任是物理学院《固体物理》这门课程的授课老师。　　顾律经常去蹭张主任的这门课。　　一来二去，张主任就记住了顾律。　　…………　　办公室内，张主任正皱着眉头低头看一份资料。　　听到推门声响，张主任抬头，视线落在顾律身上。　　“顾律，几年不见，你这是越长越帅气了啊！”张主任起身，笑呵呵的走到顾律面前。　　顾律和张主任握握手，客气的开口，“张主任这几年一点都不见老！”　　“嗨，你就别在这里逗我开心了，我自己啥样我自己还不清楚吗。”张主任摸摸自己秃的没剩下几根头发的脑袋，长吁短叹，“想当年，我那一头茂密的黑发，到现在就只剩下这几根了。”　　想当年，自己虽然只是一个普通的燕大教授，但起码有着一头茂密的黑发，惹得无数人羡慕。　　现在，他虽然职位提升的，但也变秃了。　　这就是变强的代价！　　张主任摸了摸脑袋，摊开掌心，一根落发静静的躺在上面。　　张主任掏出一面小镜子照了一下自己那马山就要变得锃光瓦亮的脑袋，叹口气，“唉，我的小十一走了。”　　说完，张主任小心翼翼的打开一个装满不少根落发的盒子，将这根落发放进去。　　“小十一，你就和你的哥哥姐姐们安眠在此地吧。”　　顾律：“？？？”　　这是在干啥？　　幸好旁边的研究员助理给顾律解惑。　　“张主任在不久前，给他头上的每一根头发都取了名字。据说刚取完不久，阿大阿二阿三就全掉了，让张主任伤心了好久。”　　顾律：“……”　　那这样说起来，张主任倒还真的挺可怜的。　　顾律记得自己读本科的时候，张主任每次上课的时候都把头发梳的一丝不苟的。　　但现在，张主任的家里没有一把梳子了。　　顾律倒是想兑换一瓶防脱发药剂给张主任用。　　但防脱发药剂是防脱发，又不是可以生发。　　对张主任来说应该没啥用。　　算了，秃了就秃了吧。　　起码，身为一个科研人员，秃头的总是让外人看着更吊一些！　　“张主任，我这位学生正在弄一个关于宽禁带半导体的毕业课题，所以需要借用一下你们研究中心这边的材料和设备。”顾律说出此行的目的。　　“这个没问题。”张主任笑呵呵的一口应下来，“在非工作的时间内，那些仪器大部分是不工作的，你直接过来用就可以了。还有材料，宽紧带半导体材料又不是多金贵，你敞开了用！”　　顾律用眼神示意一下陈默。　　陈默立刻会意，激动的语气感谢道，“谢谢张主任。”　　张主任笑呵呵的点点头，“不过话说回来，顾律你不是刚获得了博导资格吗，这是收了一个博二博三的学生？”　　张主任视线落在陈默身上。　　“不是的，张主任。”顾律笑着摇摇头，“陈默是今年刚读的博士，只不过我希望他们先把博士毕业论文弄出来，然后在跟着我或者去一些研究机构深造。”　　“博一就弄毕业论文，顾律，你对你的学生要求倒是挺苛刻的。”张主任听后有些咂舌。　　“不苛刻！”顾律还未开口，陈默倒是一脸认真表情的开口，“一点都不苛刻，我认为顾老师的安排很好，可以充分锻炼我们的能力，锤炼我们的意志，磨炼我们的精神！”　　顾律抽了抽嘴角。　　张主任倒是听了后挺乐呵的，“这小子……”　　“行了，我们直接去实验室那边看看吧，顺便教教你这位学生怎么操作那些设备。”张主任提议。　　顾律没意见，“行，我们过去。”　　三人换上深棕色的实验服，戴上一次性口罩，在张主任的带领下推开宽禁带半导体实验室的门走进去。　　宽禁带半导体是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后，发展起来的第三代半导体材料。　　该类半导体之所以被称之为宽禁带半导体，是因为其禁带宽度较宽。　　第一第二代半导体的禁带宽度一般在1.0eV到1.5eV左右。　　但宽禁带半导体的禁带宽度却是大于2eV，这类材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化镓、）AlN（氮化铝）、ZnSe（硒化锌）以及金刚石等。　　禁带宽度对于半导体器件性能有着举足轻重的影响，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度。　　禁带宽度越宽，耐压和耐高温的性能越强。　　因此，在诸多性能上，第三代的宽紧带半导体是要优于第一代和第二代的。